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　　HBM（高带宽存储器），一个突破内存带宽及功耗瓶颈的AI芯片发展环节关节幸运快艇百家乐，在英伟达新品发布布景下，正濒临需求大爆发。

　　HBM是什么？

　　HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，是基于硅通孔（TSV）和微凸点（Microbump）工夫将多个DRAMdie和Logicdie堆叠而成的具有三维结构的存储居品。

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　　GPU的主流存储有研究现在有GDDR和HBM两种。在冯·诺依曼谋划机体绑缚构中，存在着“内存墙”和“功耗墙”问题，由于传统显存GDDR5濒临着带宽低、功耗高档瓶颈，HBM则能通过3D封装工艺达成DRAMdie的垂直方针堆叠封装，不错极猛进度量入为主存储芯片占据的面积，达成更高的集成度和更大存储容量。

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　　在传输速率方面，基于TSV工艺不错在存储芯片上制造多个内存通说念、且更高集成度使得HBM和处理器之间物理距离得以镌汰，因此HBM在位宽、带宽等环节性能上均显明优于GDDR。字据SAMSUNG，3DTSV工艺较传统POP封装形式量入为主了35%的封装尺寸，凭空了50%的功耗，何况对比带来了8倍的带宽训诫，有用处置了内存墙问题和功耗墙问题，成为现时喜悦AI需求的最好有研究，被扫数主流AI芯片接受。

　　

　　府上开首：《AnOverviewoftheDevelopmentofaGPUwithintegratedHBMonSiliconInterposer》，IEEE

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　　HBM已成为高性能谋划武备竞赛的中枢。

　　英伟达早在2019年便已推出针对数据中心和HPC场景的专科级GPUTeslaP100，那时堪称“地表最强”的并行谋划处理器，DGX-1办事器等于基于单机8卡TeslaP100GPU互连组成。收货于接受搭载16GB的HBM2内存，TeslaP100带宽达到720GB/s，而归拢时刻推出的雷同基于Pascal架构的GTX1080则使用GDDR5X内存，带宽为320GB/s。

　　尔后英伟达数据中心加快谋划GPUV100、A100、H100均搭载HBM显存。最新的H100GPU搭载HBM3内存，容量80Gb，带宽超3Tb/s，为上一代基于HBM2内存A100GPU的两倍。

　　而动作加快谋划规模追逐者的AMD关于HBM的使用更为激进，其最新发布的MI300XGPU搭载容量高达192GB的HBM3显存，为H100的2.4倍，其内存带宽达5.2TB/s，为H100的1.6倍，HBM正成为HPC武备竞赛的中枢。

　　

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　　历代HBM居品发布及量产时刻线府上开首：各公司官网，耿直电子画图

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　　新品发布，HBM热度进一步加多。

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　　近期，英伟达发布新一代AI芯片H200，这是现时用于考试发轫进大说话模子H100芯片的升级居品，愈加擅长“推理”，借助HBM3e，英伟达H200以每秒4.8TB的速率提供141GB的内存，与A100比拟，容量确凿是其两倍，带宽加多了2.4倍，展望于2Q24出货。据韩媒businesskorea报说念，2023年以来，三星电子和SK海力士HBM订单一直在激增。

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　　阛阓空间有多大？

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　　现在，考试、推理关节存力需求捏续增长、挥霍端及旯旮侧算力增长，正在大开HBM阛阓空间。

　　从资本端来看，HBM的平均售价至少是DRAM的三倍，此前受ChatGPT的拉动同期受限产能不及，HBM的价钱一起高涨，与性能最高的DRAM比拟HBM3的价钱高涨了五倍，高端AI办事器GPU搭载HBM芯片已成主流。

　　字据TrendForce，2022年群众HBM容量约为1.8亿GB，2023年增长约60%达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。耿直证券不雅点合计，以HBM每GB售价20好意思元测算，2022年群众HBM阛阓限制约为36.3亿好意思元，展望至2026年阛阓限制将达127.4亿好意思元，对应CAGR约37%。

　　

　　群众HBM阛阓限制（亿好意思元）府上开首：TrendForce，佐想汽研

　　集邦参议则示意，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重展望区分为50%及39%。2024年阛阓需求将大幅转往HBM3，HBM3比重展望达60%。由于HBM3平均销售单价远高于HBM2e与HBM2，因此将助力原厂HBM规模营收增长，有望进一步带动2024年全体HBM营收至89亿好意思元，同比增长127%。

　　现在通盘HBM阛阓是三分天下的样式，其中SK海力士工夫当先，三星/好意思光加快追逐。

　　SK海力士现时工夫当先，中枢在于MR-MUF工夫，MR-MUF能有用提高导热率，并改善工艺速率和良率。SK海力士于2021年10月率先发布HBM3，2023年4月公司达成了群众始创12层硅通孔工夫垂直堆叠芯片，容量达到24GB，比上一代HBM3跳跃50%，SK海力士策动在2023年年底前提供HBM3E样品，并于2024年量产，公司研究2026年出产HBM4。

　　三星则有万亿韩元新建封装线，展望25年量产HBM4。为支吾HBM阛阓的需求，三星电子已从三星知道（SamsungDisplay）购买天安厂区里面分建筑物和拓荒，用于建造新HBM封装线，总投资额达到7000-10000亿韩元。三星展望将在2023Q4运转向北好意思客户供应HBM3。

　　好意思光则将在2024年量产HBM3E，多代居品研发中。好意思光在此前的财报电话会议上示意将在2024年通过HBM3E达成追逐，展望其HBM3E将于2024Q3粗略Q4运转为英伟达的下一代GPU供应。11月6日好意思光在台湾台中四厂崇拜开工，秘书将集成先进的探伤和封装测试功能，出产HBM3E等居品。

　　国内企业机遇在那里？

　　HBM产业链主要由IP、上游材料、晶粒联想制造、晶片制造、封装与测试等五大关节組成。

　　其中DRAM晶粒供应链主要厂商为三星、海力士与好意思光，芯片制造与封装厂商主要为领有CoWoS工夫的台积电、I-Cube工夫的三星、EMIB工夫的英特尔等领有2.5D/3D封装工夫的Foundry/IDM厂商，测试规模则由传统封装测试厂商如日蟾光、Amkor等占据。

　　在IP关节，除AMD与赛灵想等IC联想厂商外，包括新想科技、益华谋划机、Rambus与台湾创意等IP厂商王人提供HBMIP处置有研究，群众最大IP厂商Arm尚未提供联系处置有研究。

　　国内厂商则主要处于上游材料和半导体拓荒规模。

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　　其中有固晶机老兵新益昌，公司以固晶机业务为基，拓展焊线机和分选拓荒，与通富微电、华天科技、扬杰科技等客户合营精细。受益于封装工夫的迭代，对固晶精度的条目越来越高，同期HBM高带宽特征拉动键合需求，从μbump到TCB/羼杂键合，股东固晶本领和固晶机单价训诫。此外值得注意的是，2021年封测拓荒中的焊线机和固晶机国产化率仅3%，国产替代空间广大。

　　测试机、分选机方面有长川科技，2023年完成长奕科技财富过户，使得公司告成插足集成电路分选拓荒规模，达成重力式分选机、平移式分选机、转塔式分选机的居品全掩盖。

　　天承科技则是先进封装电镀液领军者，动作先进封装材料中第一大单品的电镀液，仍是较传统居品价值量训诫翻倍以上。3D封装中TSV浸透率速即训诫，据Vantage Market Research预测，TSV阛阓2022-2026年CAGR为16%，而电镀液对TSV性能至关遑急。

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　　先行者体中枢供应商雅克科技，通过收购韩国先行者体厂商UPChemical、LG光刻胶事迹部、Cotem成为SK海力士、LG品示的中枢供应商，此外雅克也已插足合肥长鑫、长江存储、京东方等国内龙头客户，高算力芯片带动HBM需求，SK海力士动作HBM领军企业，2022年6月秘书运转量产HBM3，展望于2022Q3向英伟达H100系统供应HBM3，UPChemical动作SK海力士先行者体中枢供应商，有望充分受益。

　　深耕硅微粉行业已40年的联瑞新材，主要居品包括结晶硅微粉、熔融硅微粉、球形硅微粉、氧化铝粉/针状粉，其中low-α球硅和low-α球铝是3D封装环节原材料GMC（颗粒状环氧塑封料）的添加料。

　　华海诚科则是内资环氧塑封料代表厂商，华海诚科设立于2010年，主要居品为环氧塑封料和电子胶黏剂，是国内少数具备芯片级固体和液体封装材料研发量产教授的专科工场。公司精细跟进卑劣封装工夫，近一年告成研发了lowCTE2工夫和对惰性绿油高粘接性工夫，并积极开展无铁出产线工夫和无硫环氧塑封料居品。

　　在先进封装规模，公司讹诈于QFN的居品700系列已通过长电科技及通富微电等知名客户考证幸运快艇百家乐，达成小批量出产与销售，成为公司新的事迹增长点；讹诈于先进封装的颗粒状环氧塑封料（GMC）以及FC底填胶等已通过客户考证，液态塑封材料（LMC）正在客户考证历程中，有望逐渐达成产业化并突破外资厂商的驾御地位。

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